硅片甩干機(jī)廠家簡(jiǎn)述半導(dǎo)體硅中雜質(zhì)對(duì)性能的影響
更新時(shí)間：2016-09-19 點(diǎn)擊量：1558
硅片甩干機(jī)廠家解釋在形態(tài)上，直拉單晶硅形狀一般為圓柱形，而鑄造多晶硅一般鑄造成硅錠，為方形。在質(zhì)量上由于單晶的工藝要求較高，其純度一般要求在六個(gè)九以上；而相對(duì)的，鑄造多晶硅的純度要求相對(duì)較低。在能耗上，單晶由于有拉晶的過(guò)程，相對(duì)能耗遠(yuǎn)大于鑄造多晶硅。而在晶體形狀上，單晶硅的形狀比較規(guī)則，其中晶體的缺陷明顯較少，而多晶硅只滿足短程有序，其形狀規(guī)則性較差。
本征半導(dǎo)體Si、Ge等的四個(gè)價(jià)電子，與另四個(gè)原子構(gòu)成四個(gè)共價(jià)鍵，硅片甩干機(jī)廠家說(shuō)明當(dāng)摻入少量的五價(jià)原子（如P、As）時(shí)，就形成了n型半導(dǎo)體，由量子力學(xué)知識(shí)可知，這種摻雜后多余的電子的能級(jí)在禁帶中緊靠空帶處，DED～10-2eV，極易形成電子導(dǎo)電。則半導(dǎo)體中的電子變?yōu)橹饕d流子，在室溫下，除了本征激發(fā)之外還受到雜質(zhì)電離的影響，載流子濃度增加，使半導(dǎo)體的電導(dǎo)率上升；而當(dāng)摻入的雜質(zhì)為三價(jià)原子時(shí)（如B、Ga、In等），多余的空穴的能級(jí)在禁帶中緊靠滿帶處，DED～10-2eV，極易形成空穴導(dǎo)電，空穴為其主要載流子，與N型材料類似的，在室溫下，由于雜志電離效果的存在，摻雜后的半導(dǎo)體硅的載流子濃度增大，電導(dǎo)率增大。
